近期，激光芯片賽道的融資消息不斷。

公開信息顯示，2025年7月剛開始，短短一周內(nèi)，三家光芯片頭部企業(yè)相繼宣布完成億元級大額融資，顯示出資本對激光芯片領域的高度關注與青睞。

2025年7月3日消息稱，常州縱慧芯光半導體科技有限公司宣布獲東陽光控股領投的數(shù)億元資金，資金將用于FabX產(chǎn)線投產(chǎn)及光通信市場開拓；

7月1日，北京颶芯科技有限公司完成3億元B輪融資，由國家制造業(yè)基金聯(lián)合領投，加速氮化鎵激光芯片產(chǎn)業(yè)化；

與此同時，也是在7月份，光本位智能科技（上海）有限公司也宣布完成新一輪融資，這半年內(nèi)再獲敦鴻資產(chǎn)等國資基金加持，公司估值突破10億元，此次融資將用于推動光計算芯片商業(yè)化落地。

事實上，密集資本注入背后，是國產(chǎn)光芯片技術的關鍵性突破。

其中，縱慧芯光FabX產(chǎn)線攻克3英寸化合物半導體工藝，年產(chǎn)能躍升至5000萬顆；颶芯科技突破氮化鎵缺陷控制技術，實現(xiàn)千萬級高功率芯片出貨；光本位科技將光子存算芯片矩陣規(guī)?？缭绞降臄U展。

還有值得一的是，7月8日，科創(chuàng)板四大中國的光芯片企業(yè)——德科立、長光華芯、仕佳光子、源杰科技，也罕見集體發(fā)聲，宣布100G EML芯片量產(chǎn)、薄膜鈮酸鋰芯片出海等成果。

當前，在自動駕駛、AI大模型、6G通信的算力洪流下，光芯片正從“實驗室星辰”蛻變?yōu)椤爱a(chǎn)業(yè)引擎”。隨著頭部產(chǎn)業(yè)資本與國家隊基金重倉布局，中國激光芯片的國產(chǎn)化替代與全球化競合，已進入新一輪加速周期。

2025年7月3日，國產(chǎn)光芯片企業(yè)常州縱慧芯光半導體科技有限公司完成數(shù)億元融資，本輪融資由廣東東陽光科技控股股份有限公司領投，老股東永鑫方舟、耀途資本跟投。自2015年成立以來，縱慧芯光深耕垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）芯片、光通信激光芯片等領域，產(chǎn)品已應用于消費電子、3D感知、自動駕駛等場景，市場前景廣闊。

本輪融資將重點投向FAB產(chǎn)線建設、新產(chǎn)品研發(fā)及光通信市場開拓。其中，總投資5.5億元的FabX項目尤為關鍵——該項目規(guī)劃建設一條年產(chǎn)5000萬顆芯片的3英寸化合物半導體光芯片產(chǎn)線，配套先進研發(fā)與測試中心，占地約2.8萬平方米，預計2025年全面投產(chǎn)。

屆時，產(chǎn)線將具備大規(guī)模制造砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）激光芯片的能力，為AI數(shù)據(jù)中心、車載激光雷達等高帶寬、高速率場景提供核心支持，助力縱慧芯光提升全球市場競爭力。

如果說縱慧芯光是“厚積薄發(fā)”的代表，那么，北京颶芯科技有限公司的融資則更像“十年磨一劍”的突破。

7月1日，這家由深耕氮化鎵（GaN）激光芯片20余年的博士團隊創(chuàng)立的企業(yè)，宣布完成3億元B輪融資，由深創(chuàng)投制造業(yè)轉型升級新材料基金、國風投新智基金聯(lián)合領投，廣發(fā)信德、盛景嘉成參與投資，老股東荷塘創(chuàng)投持續(xù)加注。

據(jù)悉，氮化鎵激光芯片素有“光電子領域明珠”之稱，廣泛應用于激光電視、投影、工業(yè)焊接、AR/VR等領域，但長期被日美企業(yè)壟斷。

颶芯科技的核心突破始于對“缺陷控制”與“漏電擊穿”兩大技術瓶頸的攻克：團隊通過精確控制每平方厘米數(shù)百萬個缺陷的分布，并設計新型防漏電結構，最終實現(xiàn)長壽命、高性能芯片的量產(chǎn)。

2004年，颶芯科技團隊在國內(nèi)首次實現(xiàn)405nm波長氮化鎵基激光器的電注入激射，填補國內(nèi)空白；2023年建成國內(nèi)首條GaN半導體激光芯片量產(chǎn)線；2024年率先實現(xiàn)大功率芯片批量供貨，目前已穩(wěn)定出貨數(shù)千萬顆，產(chǎn)品覆蓋紫、藍、綠光多功率段，成功替代進口，應用于激光電視、有色金屬焊接、激光手術、AR通訊等領域。

本輪融資將用于柳州基地產(chǎn)能擴建、產(chǎn)品升級及市場拓展，深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，加速從技術追趕到產(chǎn)業(yè)引領的跨越。

2025年7月，成立僅3年的光本位智能科技（上海）有限公司，宣布完成新一輪融資，由敦鴻資產(chǎn)領投，浦東創(chuàng)投集團旗下浦東科技天使母基金、蘇州未來天使產(chǎn)業(yè)基金、張江科投等國資基金聯(lián)合跟投，老股東中贏創(chuàng)投持續(xù)加注，慕石資本擔任獨家財務顧問。

值得注意的是，這是光本位科技半年內(nèi)完成的第二輪融資，距離2024年12月戰(zhàn)略輪融資僅過去半年，凸顯資本市場對其高度認可。

這家光芯片賽道的“黑馬”——半年內(nèi)完成兩輪融資，估值突破10億元，技術進展更令行業(yè)側目。

光本位科技成立于2022年，是全球首家采用“硅光+相變材料（PCM）”異質(zhì)集成技術實現(xiàn)存算一體化的企業(yè)，核心產(chǎn)品光子存算芯片與光電融合計算卡，聚焦大模型訓練/推理、智算中心、自動駕駛等高算力場景。2024年6月，公司完成全球首顆128×128矩陣光計算芯片流片，峰值算力達1700TOPS，功耗僅為電芯片的1/10，延遲顯著降低；目前正推進256×256芯片流片與第一代光電融合計算卡封測，512×128產(chǎn)品設計也在同步開展。

憑借頂尖團隊與領先技術，光本位科技已與國內(nèi)一線互聯(lián)網(wǎng)公司合作驗證光計算系統(tǒng)，構建產(chǎn)業(yè)生態(tài)。本輪融資將進一步加速技術落地，推動光計算從“技術突圍”走向“產(chǎn)業(yè)引領”。

在算力需求爆發(fā)式增長的背景下，光芯片作為光通信的核心部件，其自主可控與創(chuàng)新發(fā)展至關重要。

7月8日，來自科創(chuàng)板的德科立、長光華芯、仕佳光子、源杰科技四家光芯片企業(yè)高管罕見同臺，分享了國產(chǎn)化進程中的關鍵進展：德科立的薄膜鈮酸鋰芯片獲海外訂單；長光華芯100G EML實現(xiàn)量產(chǎn)，200G EML進入送樣階段；仕佳光子打破AWG波分復用芯片壟斷，布局800G/1.6T光模塊；源杰科技自研硅光光源2024年向400G/800G硅光模塊出貨超百萬顆，200G PAM4 EML完成開發(fā)。

目前，國內(nèi)光芯片產(chǎn)業(yè)鏈已逐步實現(xiàn)III-V族DFB、EML等核心芯片的自主可控，并向高端產(chǎn)品國產(chǎn)化加速邁進。面對光通信產(chǎn)業(yè)的強周期性與快速技術迭代，企業(yè)正通過“技術+生態(tài)+現(xiàn)金流”構建護城河。

在全球化布局上，中國的光芯片企業(yè)從“國產(chǎn)替代”向“全球競合”轉變：德科立海外構建一體化網(wǎng)絡，長光華芯計劃國際并購，仕佳光子泰國建設產(chǎn)線，源杰科技憑高端技術拓展海外份額。

可以預見的是，未來，隨著技術迭代和協(xié)同合作，將進一步助力國產(chǎn)光芯片在全球競爭中占據(jù)主動，中國的光芯片企業(yè)有望在未來的國際市場取得更大突破。