直到上個世紀末，頻率處于300GHz到10THz，或波長處于30μm至1mm的電磁譜才被廣泛挖掘。THz脈沖是研究強場與可見光場作用下物質的動力學問題的理想工具。目前，兩個主要的產生途徑分別是：結構性電場對線性加速器產生的相對論自由電子的作用；強激光脈沖與稠密或氣體電子系統(tǒng)的作用。

　　加速器THz源由超短脈沖電子束的相干輻射產生。在加速器的迅速發(fā)展下形成了第四代X射線光源，主要基于自發(fā)放大輻射SASE原理。電子束尺寸小于100~ 10μm，以相干的方式輻射THz。主要途徑如下[Rev. Sci. Instrum. 84 2501(2013)]：波蕩器、彎曲磁場偶極輻射、渡越輻射、衍射輻射、彎曲磁場\波蕩器邊界輻射、切倫科夫輻射等。這些技術要求超短脈沖電子束或縱向空間尺度在THz波長量級。相干同步輻射由Michel在1982年提出，近年來，我們見證了如Hamburg FLASH上FEL、LCLS、PAL-FEL、FERMI、Frascati FEL，上海飛秒直線加速器，F(xiàn)LUTE以及TELBE等的發(fā)展，這些裝置上產生的短脈沖電子束是產生強THz輻射的主要來源。

　　激光驅動THz源嘗試主要由以下方法：雙光場在非線性介質中的頻率轉換；激光誘導瞬變電荷位移。主要機制如下： 非線性頻率轉換指入射光場E作用下的殼層電子的擾動導致了介質的極化：

　　其中第二項展開，非線性磁化率χ(2)，在雙色場E=E(ω1)+E(ω2)作用下將產生和頻ω1+ω2以及差頻ω1-ω2。當兩者頻率相近時，差頻將處于THz范圍；對于形成1THz范圍時，脈寬100fs脈沖已經足夠以產生一系列頻率對ωTHz。作為一個重要的結論，這里必須保證THz波是載波包絡位相穩(wěn)定的。

　　固態(tài)光開關：Auston在1983年設計了固態(tài)光開關結構，在半導體基底上兩個金屬電極間設置缺口，缺口間距為幾微米。由于電導比較低，直到能量足夠高的短脈沖激光輻照時，僅有小部分偏置電流產生。足夠短的脈沖作用下將增強THz波段的電磁波輻射。

　　激光驅動氣體等離子體：聚焦飛秒激光脈沖將很容易產生強度超過1015W/cm2，并導致氣體靶在幾個光周期內電離。超過1GVcm-1的電場將加速自由電子，振蕩的電子產生電磁波輻射。2000年Cook等發(fā)現(xiàn)引入二倍頻激光后，THz轉換效率迅速增強。在10~20THz波段，轉換效率已經超過了10-4。采用6mJ，1kHz，800nm激光脈沖，Rodriguez報道了15Hz，1μJ，帶寬120%的輻射。小尺寸源確保了再聚焦能力，短波長保證了更小的THz聚焦尺寸。

　　如表1所示即幾種THz源的特征參數(shù)，其中激光方法產生THz源具有顯著的優(yōu)勢。加速器源，特別是利用半導體器件的裝置，提供了高頻的峰值，然而也需要更強的驅動源。此外，盡管激光產生紅外，可見以及紫外波段的輻射，但僅FEL可以穩(wěn)定產生極紫外波段和X射線輻射。